USB非接读写器 RF-EYE系列 align=
USB非接读写器 RF-EYE


RD系列外置接触式IC卡读写设备

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R6系列双界面CPU卡读写器

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DP系列多卡座读写器

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X3系列全功能支付终端

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IC 卡

10明华24C01A/02/04/08/16/64系列卡

主要特点:

  • 加密存储卡;
  • 容量分别为1k/2k/4k/8k/16k/64k bit;
  • 循环擦写:1,000,000次;
  • 数据保存期:100年;
  • 温度范围:-250C-700C;
  • 结构单一,无分区,只有读、写操作。

 

01明华93c46/93c46A

主要特点:

  • 非加密存储卡;
  • 容量:1024 bit ;
  • 串行三线总线;
  • 循环擦写:1,000,000次;
  • 数据保存期:100年;
  • 温度范围:-25oC-70oC;
  • 结构单一,没有分区,只有读写两种操作;
  • 93C46是按单字节读写,93C46A按双字节进行读写。

 

02明华1101卡

SSF1101为4Mbit的串行闪速存储器(Flash Memory), 串行口符合SPI协议. 芯片具有四根器件识别脚, 因此在一个系统中可以扩展使用多达16片.

主要特点:

  • SPI串行数据接口,符合SPI标准
  • 4M Bit 闪存 存储器,512页面,每页面1024字节
  • 内置 4 位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片芯片
  • 双1K字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据, 读取/写入地址自动递增
  • 高速页面编程,典型时间 20 ms
  • 高速页面到数据缓冲器传输,典型时间 100 us
  • 内置擦除/编程时序逻辑
  • 页面擦除典型时间 10 ms
  • 器件擦除典型时间 2 s
  • 硬件写保护
  • 最高10 MHz时钟频率
  • 低功耗,单电源5V工作,有低电压2.7V~3.5V可选择
  • 约18uA 典型休眠电流
  • CMOS 和 TTL 输入/输出电平兼容
  • 宽工作温度( 商用 )
  • 内置加电复位电路
  • 在进行Buffer和主Flash之间的传送或比较时,可操作未用的Buffer和状态寄存器

 

03明华88SC1604卡

主要特点:

  • 16Kbit带保护逻辑EEPROM;
  • 一个公用区及四个应用区;
  • 三重密码保护;
  • 温度范围:-25oC~70oC;
  • 100,000次擦写循环;
  • 数据保存期达10年。

 

04明华4406卡

主要指标

  • 104位容量
  • 最大可提供20 480计数单位
  • 3字节密码
  • 温度范围:-35℃~80℃
  • 至少10,000次循环擦写次数
  • 至少10年数据保存期

 

05明华4442卡

主要指标:

  • 256字节EEPROM组织方式
  • 32位保护存储器组成方式
  • 3字节用户密码,密码错误计数:3次。
  • 温度范围:0℃~70℃
  • 至少10万次擦写
  • 至少10年数据保存期

 

06明华4428卡

主要指标

  • 1024字节的EEPROM
  • 1024字节的写保护区(固化数据)
  • 2字节的密码,错误计数8次
  • 温度范围:-35℃~80℃
  • 至少100,000次擦写循环
  • 至少10年数据保存期

 

07明华AT45D041卡
功能:

  • 主存储器容量为4,325,376bit
  • 由2048页组成,每页264字节
  • 两个264字节的数据缓存器
  • 温度范围:-250C—700C
  • 工作频率为10MHz(最大)
  • 工作电压为5V土10%
  • 工作电流读为25mA,写为50mA
  • 数据保持100年

这种型号的IC卡为ATMEL存储卡,是一种不具备加密功能、大容量的FLASH存储卡,存储容量为4M位,主存储区有2048页(每页容量为264字节),同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节),页写方式为264字节,页写入时间为7ms。存储结构简单,主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据,如声音、图像或数据。

 

08明华AT45DB041卡
功能:

  • 主存储器容量为4,325,376bit
  • 由2048页组成,每页264字节
  • 两个264字节的数据缓存器
  • 温度范围:-250C—700C
  • 工作频率为10MHz(最大)
  • 工作电压为2.7V-5.5V
  • 工作电流读为25mA,写为50mA
  • 数据保持100年

这种型号的IC卡为ATMEL存储卡,是一种不具备加密功能、大容量的FLASH存储卡,存储容量为4M位,主存储区有2048页(每页容量为264字节),同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节),页写方式为264字节,页写入时间为7ms。存储结构简单,主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据,如声音、图像或数据。

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